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三星电子深化英伟达合作:V10量产加速,V11研发取得突破

来源:未知 作者:佚名 发布时间:2026-07-22 11:25:38

7月21日最新行业动态显示,三星电子与英伟达在存储芯片领域的战略合作正迈向新高度。双方在现有DRAM、高带宽内存(HBM)及晶圆代工合作框架下,进一步拓展NAND闪存业务版图。据供应链消息透露,三星电子已正式启动第十代V-NAND(型号V10)的规模化量产,首批产品已进入英伟达供应链体系。与此同时,第九代V-NAND(V9)的产能扩张计划正在加速推进,其月产能已突破10万片大关,其中约60%的产能被优先分配给V9系列产品。

值得关注的是,三星电子在巩固现有技术优势的同时,正全力推进第十一代500层级V-NAND(V11)的研发进程。这款采用三维堆叠技术的存储芯片,预计将实现更高的存储密度和更低的功耗表现。行业分析师指出,三星与英伟达的深度合作不仅有助于巩固双方在AI算力领域的领先地位,更将推动整个存储芯片产业向更高性能、更低能耗的方向发展。随着数据中心和智能终端对存储需求的持续攀升,这场技术竞赛的成果或将重塑全球半导体产业格局。

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