【美光科技豪掷93亿美元加码先进存储芯片制造 2028年下半年HBM产品将面世】据徽声在线7月5日消息，美光科技于当地时间7月4日正式启动日本广岛工厂扩建项目。这项总投资规模达1.5万亿日元（折合人民币约93亿美元）的重大工程，将重点布局高带宽存储器（HBM）等前沿存储芯片的研发与生产，旨在抢抓人工智能技术爆发带来的市场机遇。作为英伟达AI加速器的核心配套组件，HBM芯片的量产计划已明确至2028年夏季，届时将形成年产数百万片的生产能力。

值得关注的是，全球存储芯片三巨头正展开新一轮产能竞赛。除美光外，三星电子近期宣布将在韩国平泽基地增设EUV光刻生产线，预计2026年实现HBM4量产；SK海力士则于本周早些时候披露，将斥资80万亿韩元（约合514.6亿美元）在清州建设全球最大的NAND闪存生产基地，该项目采用3D堆叠技术，单颗芯片容量可达1Tb级别。行业分析师指出，随着ChatGPT等生成式AI应用的普及，2024-2028年全球HBM市场规模将以年均65%的速度增长，三大厂商的扩产计划将使全球存储芯片产能提升约40%。