《科创板日报》6月13日讯（编辑 宋子乔） 继三星电子交付全球首批HBM4E样品后，SK海力士也有望加速交付进度。

据韩媒报道，据业内人士12日透露，SK海力士正准备向主要客户提供HBM4E样品，最早可能在本月（6月）开始发货，最迟下个月也将开始。

这一时点比原计划更早。SK海力士此前在第一季度财报电话会议上表示“内部计划在下半年提供样品”。

业内人士认为，考虑到HBM4E计划于明年量产，客户验证和优化工作必须在今年下半年进行，因此样品供应指日可待。

HBM（高带宽存储器）是AI加速芯片的核心配套部件，其带宽与容量直接决定AI训练与推理的效率。当前，HBM市场由三星、SK海力士和美光主导，SK海力士为当前HBM市场的份额领导者。

HBM4E是第七代HBM，预计SK海力士的HBM4E将被用于英伟达的下一代AI加速器“Rubin Ultra”中，Rubin Ultra计划于明年发布。6月2日，黄仁勋参观了在中国台湾举行的2026年台北国际电脑展SK海力士展位，并在HBM4E晶圆上留言：“请多生产一些。”

据悉，SK海力士将在其HBM4E核心芯片上采用1c纳米工艺，基础裸片则由台积电采用3纳米工艺生产。SK集团董事长崔泰元在台北国际电脑展上表示：“只要客户准备好了，我们就随时准备就绪。”他还补充道：“目前，我们只有一家HBM4E客户。”

在HBM市场，样品交付的时机至关重要。由于下一代HBM是根据客户的具体要求定制生产的，更快的样品交付速度可以让客户更快地验证性能并完成优化，从而在最终的量产竞赛中占据优势。

5月29日，三星电子宣布，已开始向主要全球客户交付业内首批12层48GB HBM4E样品。在完成初步样品交付和优化后，三星计划根据客户的进度安排开始批量生产HBM4E。

一位业内人士表示：“对于HBM而言，不仅性能至关重要，出货时间和客户认证等进度安排也至关重要。”他补充道：“今年下半年，两家公司（三星与SK海力士）之间的供应竞争将进一步加剧。”

另外，美光的HBM4产能爬坡进展顺利，计划于2027年量产HBM4E，消息称其HBM4E将采用10纳米级第六代1γ工艺，这是美光首次在量产工艺中引入EUV光刻设备，基础裸片将委托台积电制造。

TrendForce此前指出，上述三大供应商正逐步将产业重心由良率竞争转向定价权与下世代规格主导，虽传统DRAM利润率短期反超HBM，供货商仍维持均衡产品组合，并看好HBM长期合约价走高，横向对比来看，当前除HBM以外的各类DDR及消费级存储，历经前期多轮涨价后价格已整体处于相对高位，而HBM的涨价红利尚未充分释放。