徽声在线7月9日讯（编辑 李阳）在年初的时候，三星电子与SK海力士均传出消息，计划引入混合键合设备，并打算在下一代HBM4芯片上运用该技术。

混合键合工艺属于半导体领域里先进的封装技术。和传统的键合技术相比，混合键合技术无需借助凸点，就能直接连接相邻DRAM芯片的铜互连线。

相关报告表明，这一特性让HBM封装变得更加轻薄，同时显著提升了散热性能以及电源效率。而且，它还支持更高密度的HBM I/O端子互连，有助于实现芯片内部的数据高效传输，进而提升器件的整体性能，同时降低功耗。在半导体封装领域，该技术与TSV、EMIB等工艺既存在竞争关系，又有着互补作用。

然而，近期有新的报道显示，这两家公司正在重新审视应用该技术的时间安排。业内不少人猜测，下一代HBM芯片中混合键合技术的广泛运用时间，或许会比此前预期的更晚到来。

应用迫切性显著下降

虽然混合键合技术曾被广泛认为会在HBM4芯片上首次投入使用，但据可靠消息，三星电子和SK海力士最终还是决定继续采用传统的热压键合技术。当前，行业内的专业预测认为，混合键合技术最早可能要等到16层HBM4E（即第七代HBM）芯片时才会得到应用。

部分业内观察人士分析指出，混合键合技术原本被看重的关键优势，像更薄的HBM封装以及更出色的热性能，在客户眼中的重要性正逐渐降低。

目前，整个半导体行业对于HBM厚度标准的要求正逐步放宽。在HBM3E之前，标准的封装厚度为720微米。但从HBM4开始，厚度限制放宽到了775微米，这一变化主要反映了DRAM堆叠结构从8层和12层向12层和16层配置的转变趋势。

厚度标准的放宽，使得业界对芯片间距最小化的需求有所降低。此外，包括英伟达在内的主要客户，对于更高堆栈数HBM的需求也出现了延迟情况，这也间接导致了对芯片封装工艺要求的降低。

尽管如此，三星电子、SK海力士以及其他主要的存储器公司并没有停止对混合键合技术的研发。业内人士预测，随着HBM I/O数量的急剧增加，市场对混合键合技术的需求将会再次凸显。

（徽声在线 李阳）