【三星发布革命性3D内存技术蓝图：zHBM架构实现高带宽内存与AI加速器的垂直整合，性能较HBM5提升达800%】徽声在线8月5日讯，三星电子今日正式披露其面向AI时代的存储技术战略，通过创新性的三维堆叠设计突破传统内存架构限制。据官方技术白皮书披露，全新zHBM（Z-axis High Bandwidth Memory）系统采用TSV硅通孔技术，将高带宽内存颗粒以垂直方式直接堆叠于AI加速器芯片上方，形成单芯片级立体集成方案。该架构通过消除传统PCB基板互联的物理限制，使内存带宽密度较现有HBM3提升12倍，实测性能达到预期HBM5标准的8倍水平。

作为三星端到端AI基础设施战略的核心组件，zHBM系统特别针对大语言模型训练场景优化。通过内置的智能带宽调节机制，该技术可在FP8精度运算下实现9.6TB/s的聚合带宽，同时将能效比提升至4.2pJ/bit，较当前最先进的HBM3E降低37%。三星半导体业务总裁庆桂显在技术说明会上强调："zHBM不是简单的物理堆叠，而是通过芯片级协同设计实现的系统级创新，这标志着存储计算融合进入新维度。"

配套技术矩阵方面，三星同步推出zNAND-O闪存架构和V10 BV-NAND制造工艺。其中zNAND-O通过引入3D异质集成技术，在单芯片内整合SLC缓存层与QLC存储层，使SSD的随机写入性能提升5倍；V10 BV-NAND则采用双层电荷捕获设计，将3D NAND的堆叠层数推进至512层，单Die容量突破2Tb。这些技术突破使三星在AI存储市场形成从训练到推理的全栈解决方案，据Mercury Research数据显示，其HBM市场份额已从Q1的38%攀升至Q2的45%。