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三星电子深化与英伟达NAND合作,V9、V10闪存产能再升级

来源:未知 作者:佚名 发布时间:2026-07-22 16:27:20

7月21日最新消息,三星电子与英伟达在NAND闪存领域的合作正迈向新的高度。双方不仅在DRAM、高带宽内存(HBM)以及晶圆代工方面已有稳固的合作基础,如今更是在存储芯片供应上进一步深化了伙伴关系。据可靠消息透露,三星电子已经正式启动了第十代V-NAND(即V10)的量产工作,并且已经开始向英伟达稳定供货。与此同时,为了满足市场需求,三星还在积极扩大第九代V-NAND(V9)的生产规模,并加速推进第十一代500层级V-NAND(V11)的研发进程。目前,三星在V-NAND闪存芯片的生产上已经具备了相当的实力,月产能超过10万片,其中大约有60%的产能被分配给了V9产品,以确保市场的稳定供应。

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