【三星电子深化与英伟达NAND闪存供应合作 全面推进V9/V10/V11三代技术迭代】徽声在线7月21日讯，全球存储芯片巨头三星电子与AI计算领域领导者英伟达的合作关系迎来重大升级。在现有DRAM、HBM及晶圆代工合作基础上，双方将NAND闪存供应合作提升至战略层面，形成覆盖存储芯片全品类的深度协同布局。

据产业供应链消息，三星电子已正式启动第十代V-NAND（V10）的规模化量产，该产品采用突破性的500层堆叠技术，较前代产品存储密度提升40%，读写速度提高35%。首批V10芯片已通过英伟达严苛的兼容性认证，即日起向其数据中心及AI训练集群供货。与此同时，三星正在对第九代V-NAND（V9）实施产能倍增计划，通过升级176层3D闪存技术，将月产能从6万片提升至10万片，其中60%产能定向供应英伟达。

值得关注的是，三星电子同步推进第十一代V-NAND（V11）的研发进程。该产品将采用创新的混合键合技术，实现500层以上的超高层堆叠，预计2025年实现量产。业内人士分析，三星通过三代技术同步推进的策略，既满足英伟达当前AI算力集群对大容量存储的迫切需求，又为未来3-5年的技术迭代预留充足空间。

根据TrendForce最新数据，三星电子目前占据全球NAND闪存市场34.5%的份额，其V-NAND技术领先竞争对手至少12个月。此次与英伟达的深度合作，不仅将巩固三星在高端存储市场的统治地位，更可能重塑全球AI算力基础设施的供应链格局。