截至2026年6月30日10:04，科创芯片设计ETF国联安（588780）表现强劲，涨幅达到3.21%，盘中换手率高达11.27%，成交金额突破1.27亿元。其成分股中，格科微表现尤为突出，涨幅达20.02%，翱捷科技紧随其后，上涨15.47%，安凯微也有11.75%的涨幅，艾为电子、灿芯股份等个股也纷纷跟涨，市场热度持续升温。

与此同时，半导体ETF国联安（512480）也展现出稳健的上涨态势，涨幅为1.24%，盘中换手率3.59%，成交金额达到8.86亿元。其成分股中，格科微、翱捷科技同样涨幅显著，艾为电子上涨10.00%，景嘉微、电科芯片等个股也表现不俗，共同推动了ETF的上涨。

科创芯片设计ETF国联安（588780）之所以备受市场青睐，不仅因其具备20%的涨跌幅弹性收益，更在于其跟踪的指数成分股涵盖了50家科创板芯片领域的龙头企业，其中芯片设计行业占比超过九成，真正做到了“含芯量”满满。该ETF精准瞄准半导体高景气度细分赛道，充分体现了核心算力板块的发展趋势。值得一提的是，在所有跟踪同指数的产品中，科创芯片设计ETF国联安成立时间最早，场内流动性最佳，同类成交也最为活跃。

此外，半导体ETF国联安（512480）也备受市场瞩目。作为目前唯一跟踪中证全指半导体指数的ETF，它提供了一键布局中国半导体全产业链的便捷途径，投资更为均衡。同时，该ETF还提供了场外联接服务，A类代码为007300，C类代码为007301，满足了不同投资者的需求。

在消息面上，近日全球“最火”内存ETF——Roundhill Memory ETF（DRAM）进行了调仓操作，首次将A股存储芯片巨头兆易创新纳入其投资组合，权重为2.91%，成为该ETF的第8大重仓股。Roundhill Memory ETF作为全球首款专门聚焦于计算机存储与数据存储行业的纯主题型ETF，其调仓动作无疑引起了市场的广泛关注。

而在国际市场上，韩国政府也宣布了迄今为止最大规模的半导体与AI投资计划。该计划将半导体、物理AI与AI数据中心定位为产业升级的“三角支柱”，并计划在西南部投资约800万亿韩元建设四座芯片工厂，目标是在五年内将DRAM产能翻倍。这一举措无疑将进一步推动全球半导体产业的发展。

风险提示：本文所提供的所有信息均仅供参考，不构成任何投资建议。一切投资操作信息均不能作为投资依据，投资者应谨慎对待。投资有风险，入市需谨慎。

注：科创芯片设计ETF国联安在全市场跟踪上证科创板芯片设计主题指数的ETF中，成立时间最早、场内流动性最好、同类成交最活跃，是投资者布局芯片设计领域的优选之一。