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中金研判:第三代半导体器件将深度赋能数据中心供电系统升级,2026年开启高压架构新时代

来源:未知 作者:佚名 发布时间:2026-06-30 08:05:00

中金公司最新研究报告明确指出,随着人工智能算力需求向高密度计算、持续满负荷运行以及强瞬态功率冲击等特性演进,数据中心供电系统正加速向高压架构转型已成为行业共识。在半导体材料创新与电力电子技术突破的双重驱动下,预计2026年将成为数据中心高压供电架构的规模化落地元年。研究特别强调,以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代化合物半导体器件,将在数据中心电力基础设施升级过程中扮演关键角色。其中SiC器件凭借其耐高压、低损耗特性,有望主导机房配电系统(灰区)的功率转换环节;而GaN器件因其高频高效优势,将在服务器机柜内部(白区)的电源模块实现大规模应用。这种技术路线分化将形成"SiC主攻高压配电侧,GaN深耕机柜电源层"的差异化市场格局,两类器件共同分享数据中心电源系统技术迭代带来的市场红利。

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