苹果再次提升多款设备以旧换新回收价格

8月7日最新消息，在之前上调Mac、iPad等设备回收价格的基础上，苹果公司进一步上调了iPhone、iPad、Mac以及苹果手表等多款热门设备的以旧换新回收价格，此次上调幅度最高接近30%，平均涨幅达到了6.6%，这一举措无疑将吸引更多消费者参与以旧换新活动。

具体来看，iPhone 16 Pro Max的回收价格由原先的695美元上调至720美元；iPhone 16 Pro的回收价格则从560美元提高至630美元，增加了70美元；而iPhone 15 Pro Max的回收价格也由490美元上调至530美元，涨幅显著。

不仅如此，一些旧款机型的回收估值也同步上涨。其中，iPhone 13 Pro的最高折抵金额由260美元提高至285美元；iPhone 12 Pro Max的回收价格由220美元提高至240美元；就连较为老旧的iPhone XR，其回收价格也由80美元提高至90美元，让消费者在换新时能够获得更多实惠。

宇树科技回应机器人销售禁令：对现有主要产品销售无影响

8月7日下午，在宇树科技的科创板上市网上投资者交流会上，有投资者就美国的机器人销售禁令对公司的影响提出了疑问。宇树科技董事会秘书傅风华回应称，公司目前在售的主要型号产品，包括人形机器人G1、H2、R1以及四足机器人Go2、B2、A2等，均已取得FCC认证，并且属于前述公告所指的先进机器人设备范畴。因此，前述政策变更目前并不会影响公司现有主要产品在美国市场的继续销售，消费者可以放心购买。

此外，宇树科技创始人王兴兴在网上路演时还表示，公司一直非常重视C端市场的发展。目前，公司已经在京东、天猫、亚马逊等境内外知名电商平台开设了线上门店，并在北京、上海等一线城市开设了线下体验店，让消费者能够更直观地体验到产品的魅力。后续，公司也将继续加大在C端市场的开拓力度，为消费者提供更多优质的产品和服务。公司未来的销售情况，请广大投资者关注公司后续披露的定期报告和其他公告文件。

富士康紧急招工应对iPhone新机产能提升

随着iPhone新机的量产工作全面展开，代工组装厂商富士康正加紧招工以应对产能的爬坡需求。据悉，富士康部分厂区的生产旺季预计将持续至今年年底，以确保iPhone新机的供应稳定。此前已有报道称，苹果iPhone18系列已于7月开始量产，目前正处于产能爬坡的关键阶段。

据中证金牛座消息，为保障iPhone新机的量产进度，富士康目前正迎来招工的高峰期。苹果一般于每年9月发布新一代iPhone手机，因此三季度成为苹果产业链公司赶工备货、产能爬坡的高峰期。7月下旬，新华资产、长江资管、友邦保险等机构还调研了苹果供应商领益智造。领益智造表示，公司在新机的单机价值量较上代机型有所提升，目前各类项目推进顺利，正按规划推进量产爬坡及客户交付工作，三季度正值交付旺季，公司上下正全力以赴确保交付任务的完成。

SK海力士宣布季度分红2733亿韩元，并拟三季度公布额外股东回报方案

8月7日，SK海力士在韩国交易所披露，公司将向普通股股东派发每股分红375韩元（约合人民币1.8元），市价分红率为0.02%，总金额为2733.25亿韩元（约合人民币13亿元）。分红基准日定为8月31日，分红计划将在基准日起一个月内支付完毕。

此外，SK海力士还表示，公司正积极研究旨在提升股东价值的额外股东回报措施，具体细节计划于第三季度敲定并公布，以进一步回馈广大股东的支持与信任。

宏碁7月营收创近13年来同期新高，AI硬件需求爆发成主因

8月7日，宏碁公布了其2026年7月的营收数据。数据显示，宏碁7月合并营收达到了新台币269.04亿元，同比增长21.9%；今年前7月的营收则达到了新台币1846.31亿元，同比增长23.1%，均创下了近13年来的同期新高。

其中，台式电脑业务7月的营收同比大涨30.6%，主要得益于AI硬件需求的爆发式增长。此外，随着存储芯片价格的上涨，PC整机终端售价也随之上行，单价提升直接抬升了营收规模，为宏碁的业绩增长提供了有力支撑。

摩根大通持续加仓中际旭创H股，持股比例升至15.02%

8月7日，根据香港交易所的权益披露信息，摩根大通在中际旭创H股的持股比例于8月4日从13.48%升至15.02%，显示出其对中际旭创未来发展的坚定信心。

台积电研发二维晶体管新技术，有望突破先进半导体材料界面瓶颈

8月7日消息，台湾阳明交通大学与台积电的企业研发团队在二维半导体领域取得了新的突破。他们提出了一种原子级界面工程技术，能够在缩小晶体管尺寸的同时保持其高电气性能，有望推动下一代低功耗半导体技术的发展。相关研究成果已经发表于国际知名期刊《自然·电子学》上。

研究团队表示，二维半导体材料仅有单原子厚度，具备优异的电学特性，被视为超越硅基芯片限制的潜在材料。然而，在制造晶体管时，超薄绝缘层与半导体之间的界面容易产生缺陷，导致电子散射现象的发生，从而使晶体管性能提升面临瓶颈。为了解决这一问题，研究人员通过在单层二硫化钼（MoS₂）半导体表面构建超薄氧化铝界面层，再结合高介电常数氧化铪栅介质，成功改善了材料界面质量，使晶体管同时实现了更强的电控能力和较高的载流子迁移性能。