7月21日最新行业动态显示，三星电子与英伟达在NAND闪存领域的战略合作正迈向全新高度。基于双方此前在DRAM、高带宽内存（HBM）以及晶圆代工领域建立的稳固合作基础，此次合作进一步拓展至存储芯片核心供应链环节。据产业链消息透露，三星电子已正式启动第十代V-NAND（V10）的规模化量产，并开始向英伟达稳定供货，同时针对第九代V-NAND（V9）实施产能扩张计划，目前该产品线月产能已突破10万片大关，其中约60%的产能资源集中配置于V9产品生产。

值得关注的是，三星电子同步推进着下一代存储技术的研发进程。据内部人士证实，第十一代500层级V-NAND（V11）的研发工作已进入关键阶段，这款采用三维堆叠架构的存储芯片预计将实现更高的存储密度和更低的能耗表现。行业分析师指出，随着人工智能、大数据等新兴技术对存储性能要求的持续提升，三星与英伟达在先进存储解决方案上的深度协同，将有助于巩固双方在高端半导体市场的技术领先地位。