阿里新财季闪购业务减亏成效显著，超出市场预期

7月8日，据徽声在线从界面新闻获取的消息，阿里巴巴在2027财年第一季度的财报前瞻中透露，其整体电商业务（涵盖中国电商及AIDC业务）利润表现稳健，已恢复增长态势。尤为引人注目的是，淘宝闪购业务的减亏速度超出了市场预期，与竞争对手的单位经济模型（UE）差距逐渐缩小，即便在降低补贴的过程中，其市场份额依然保持稳定。目前，淘宝闪购已将业务重心转向高客单价的餐饮及非餐饮订单，预计未来其单位经济模型将得到进一步优化。

中兴全球首款AI智能体手机或将亮相2026WAIC，引领科技新潮流

7月8日，蓝鲸新闻报道称，有知情人士透露，中兴努比亚品牌即将推出全球首款AI智能体手机，并有望在2026年世界人工智能大会（WAIC）上正式亮相。这一消息无疑为科技界带来了新的期待，预示着AI技术在智能手机领域的应用将迈入新的阶段。

企业微信紧急上线“拉群确认”机制，保障老年人数字权益

近日，一则关于“88岁老人手机未读消息高达77万条”的新闻引发了社会广泛关注，同时也将企业微信长期存在的“静默拉群”问题推到了风口浪尖。为了应对这一舆论危机，企业微信迅速采取行动。

7月7日，企业微信官方发布了《关于治理过度营销、优化老年人上网环境的公告》，宣布对拉群管控规则进行调整，特别针对行为异常的企业账号推出了“拉群需被拉人确认”的新机制，并配套实施了多项治理措施。

具体而言，企业微信团队推出了以下四项针对性治理举措：一是加强拉群管控，对退群率偏高、行为异常的企业账号实施“拉群时需被拉人确认”功能，从源头上减少用户被动入群的情况；二是管控拉群频率，对拉群过于频繁或用户退群率过高的企业直接限制其拉群能力；三是加大对外挂工具的打击力度，对使用第三方工具进行批量群发、消息轰炸的行为进行严厉处置；四是联动微信安全团队进行协同治理，强化对老年人过度营销账号的识别与封禁工作。

苹果与博通签署巨额协议，共同推动美国芯片制造发展

7月8日，苹果公司宣布与博通达成了一项为期多年的合作协议，总金额预计超过300亿美元。根据协议内容，双方将共同设计并生产用于苹果多款产品的定制芯片及先进无线连接技术。值得一提的是，博通将在美国生产超过150亿颗芯片，并在科罗拉多州柯林斯堡工厂投资15亿美元进行扩建和升级产能，生产包括FBAR射频滤波器在内的先进射频组件及无线连接技术。

苹果表示，这是其“美国制造计划”中迄今为止规模最大的合作项目，也是其未来四年向美国经济投资6000亿美元承诺的重要组成部分。此举旨在推动美国本土半导体供应链的建设并支持就业增长。

三星电子近5万员工共享超15亿元股票激励“大礼包”

7月7日晚间，三星电子在韩国金融监督院电子公示系统DART上披露了董事会决议，决定一次性划拨108.34万股库存普通股用于员工股票薪酬计划，总核定价值高达3445亿韩元（折合人民币约15.36亿元），覆盖近5万名员工。

此次股票激励的分配范围主要限定在DX消费电子事业部与CSS复合半导体解决方案团队，符合条件的员工共计49345人。按照公告基准日7月6日的收盘价31.8万韩元/股计算，平均每人可分得约22股，对应账面价值700万韩元（折合人民币约3.12万元）。

支付宝“碰一下”用户数突破4亿大关，线下生态持续扩张

7月8日，支付宝宣布其“碰一下”功能用户数已突破4亿大关，同时线下部署点位也超过3000万个。此外，“碰一下”的合作生态伙伴数目已经超过2300家。基于线下超3000万物理点位的AI化升级计划，“碰一下”将在2026年重点开放Agent（智能体）服务网络，为用户提供更加便捷、智能的服务体验。

摩根大通重申三星电子增持评级，认为股价回调带来买入良机

7月8日消息，摩根大通在最新发布的个股研究报告中，对全球半导体巨头三星电子披露的2026年第二季度强劲初步业绩给予了高度评价。报告重申了其“增持”评级，并将2026年12月的目标价调高至480000韩元。

摩根大通指出，尽管三星在今年上半年一次性计提了超过15万亿韩元的巨额劳务成本拨备，但在AI基础设施建设引发的存储芯片价格飙升及韩元贬值的双重利好拉动下，其二季度实际盈利表现超出了此前已被市场调低的预期，展现出极强的周期爆发力。

报告还强调，经历此前的股价回调后，目前三星电子股价对应的未来12个月滚动市盈率仅为5.2倍。摩根大通认为，三星已成为全球范围内“定价最便宜的优质存储资产”，此前的市场悲观情绪反而为中长线投资者提供了极佳的逢低买入时机。

英特尔专利曝光新型XBM内存架构，有望降低先进封装成本

7月8日消息，英特尔一项近日公开的专利申请显示，公司正在研发一种名为XBM（Cross-Batch Memory）的新型高带宽内存架构。该架构旨在通过取消HBM所需的硅中介层、采用UCIe互连及内置冗余修复机制等方式，降低先进封装成本并缓解AI芯片面临的“内存墙”瓶颈问题。专利显示，XBM采用后端晶体管（BEOL）DRAM堆叠设计，可在保持与HBM4相近封装尺寸的同时提升可扩展性，并支持缺陷修复以提高良率。