徽声在线10月13日讯（记者 李明轩）三星电子于当地时间10月12日在2026年OCP全球峰会上重磅发布了下一代内存与存储技术方案，此举标志着该公司在人工智能基础设施领域迈出关键一步，同时展现了其与全球顶尖科技企业深化合作的战略布局。

峰会现场，这家韩国科技巨头携手AMD进行了内存扩展技术的联合演示，并首次公开了与AI芯片新锐Groq及行业巨头英伟达的合作成果展示区。

三大技术支柱构建AI基础设施新生态

面对AI模型参数规模呈指数级增长、智能代理处理复杂度持续提升的现状，市场对内存容量、数据处理效率及存储性能的需求已突破传统架构极限。三星此次推出的技术矩阵聚焦内存扩展、计算效能与数据存储三大核心领域，构建起完整的AI基础设施解决方案。

其中最受瞩目的当属与AMD共同开发的基于Compute Express Link（CXL）3.0标准的内存扩展系统。该方案通过突破性的内存池化技术，实现了跨服务器内存资源的动态分配。

据技术白皮书披露，CXL 3.0协议可使处理器与加速器、存储设备共享内存池，单台AI训练服务器可调用集群内其他节点的闲置内存资源。经实测，在ResNet-50图像识别模型训练场景中，该技术可使内存利用率提升40%，训练效率提高25%。

内存池化技术采用三星自主研发的CMM-D（Compute Memory Modular-Dynamic）架构，支持多达64个计算节点共享内存资源。在GPT-3级大模型推理场景中，该架构可动态调配内存带宽，使单秒处理token数提升1.8倍，有效解决高并发请求下的性能瓶颈问题。

存储产品线方面，三星展示了全球首款256GB HBM5内存模块，其带宽达1.8TB/s，较前代提升33%。更引人注目的是存算一体（PIM）技术的突破，通过在内存芯片内集成计算单元，使矩阵运算能效比提升10倍，特别适用于Transformer架构的AI模型推理。

展区现场，三星同步展示了2纳米GAA晶体管工艺晶圆、Groq LPU语言处理单元晶圆，以及搭载英伟达Groq 3 LPX加速卡的服务器系统。这些展品完整呈现了从先进制程到系统集成的全链条技术实力。

在数据存储领域，三星推出PM1743企业级SSD，采用第六代V-NAND技术，随机读写延迟降至8μs以下。针对AI推理场景优化的键值缓存技术，可使模型复用历史查询数据的效率提升60%，在推荐系统等场景中显著降低计算延迟。

三星半导体解决方案部门负责人强调，公司正从单一芯片供应商向系统级优化伙伴转型。其设立的MAX实验室配备真实AI工作负载模拟环境，客户可在量产前6-12个月进行技术验证，目前已与多家云服务提供商建立联合研发机制。

回顾2024年技术布局，三星已形成完整的产品矩阵：3月英伟达GTC大会发布HBM3E内存，6月COMPUTEX展出CXL内存扩展原型，8月未来存储峰会推出PIM 2.0技术。此次OCP峰会的技术发布，标志着其技术覆盖范围从AI加速器核心组件延伸至系统级存储解决方案。

战略合作伙伴关系方面，三星与AMD的协作进入全新阶段。

10月7日AMD CEO苏姿丰访韩期间，双方签署代工合作备忘录，三星将利用其4纳米制程为AMD生产AI加速器芯片。此前3月签署的技术合作协议已产生实质成果，基于CXL的内存扩展方案即双方联合研发的里程碑式产品。

（徽声在线 李明轩）