据徽声在线独家消息，国内存储芯片领域迎来重大动态——长鑫存储正紧锣密鼓筹备进军NAND闪存市场，计划与三星电子、SK海力士及美光科技等国际巨头展开直接竞争。据知情人士透露，长鑫已组建专项研发团队，重点突破3D NAND堆叠技术，并同步推进128层及以上高密度闪存芯片的量产准备工作。

作为国内DRAM市场的领军企业，长鑫此次战略转向标志着中国存储产业向全品类布局迈出关键一步。行业分析指出，长鑫若能在闪存领域实现技术突破，将有效缓解国内数据中心、智能手机等产业对进口存储芯片的依赖。目前全球NAND闪存市场仍由三星（35%份额）、SK海力士（20%）和美光（15%）主导，长鑫的入局或将引发新一轮产业格局重构。

技术层面，长鑫正同步推进QLC（四层单元）闪存研发，该技术可在相同芯片面积下实现更高存储密度，但面临写入寿命和读取速度的技术挑战。消息人士称，长鑫已与多家国产设备厂商建立战略合作，重点攻关193nm光刻机配套工艺，为后续176层3D NAND量产奠定基础。市场预测显示，若长鑫能在2025年前实现闪存芯片量产，有望占据全球5%-8%的市场份额。