徽声在线7月30日讯（编辑 李明）随着人工智能技术的迅猛发展，全球内存市场正面临前所未有的供应紧张局面。高带宽内存（HBM）作为数据中心的核心组件，其需求激增正不断挤压传统DRAM的产能空间，导致业内普遍担忧DRAM及企业级SSD将陷入又贵又缺的困境。

台湾知名存储芯片厂商宇瞻科技（Apacer）首席执行官张家騉近日发出预警，称受HBM产能挤占影响，2025年全球传统DRAM供应量将出现断崖式下跌，预计仅能完成今年目标产能的30%，实际供应量同比降幅可能高达70%。这一预测引发市场对内存价格持续飙升的强烈担忧。

宇瞻科技CEO警示：2025年DRAM供应或锐减70%（资料图）

这一观点与SK海力士首席执行官郭鲁正上周的表态不谋而合。郭鲁正指出，尽管内存市场已进入调整期，但供应端压力将持续加剧，预计2027年将成为行业历史上最严峻的挑战年。他特别强调，HBM与传统DRAM的产能争夺战远未结束。

市场研究机构最新报告显示，2027-2028年内存晶圆供应虽将以年均12%的速度增长，带动整体内存市场扩容20%，但其中近半产能将被HBM占据。这意味着非HBM内存的供应年增长率仅15%，远低于同期22%的需求增速，供需缺口将持续扩大。

分析人士指出，这种结构性供需失衡将导致DRAM芯片长期处于供不应求状态，价格维持高位运行，对智能手机、个人电脑等消费电子产业构成重大冲击。某品牌厂商采购负责人透露，内存成本已占整机成本的30%以上，价格波动直接影响产品定价策略。

内存产业周期性波动加剧

张家騉进一步分析称，科技巨头为争夺AI算力市场，正加速扩建人工智能服务器集群，这直接推高了HBM需求。三星电子、SK海力士及美光等头部厂商为追求更高毛利率，纷纷将产能向HBM倾斜。与此同时，大语言模型训练带来的企业级SSD需求激增，形成内存与固态硬盘双缺货的连锁反应。

这种供应紧张局面已传导至消费电子领域。为应对成本压力，多家PC和手机厂商被迫调整采购策略，部分中低端机型甚至推迟发布计划。行业预测显示，这种采购收缩态势至少将持续至2027年上半年，直到新增产能逐步释放。

在产能扩张方面，三星电子韩国平泽工厂P5 Fab 1产线计划提前至2027年7月投产，P5 Fab 2及龙仁新基地投产时间分别提前至2029年和2030年。SK海力士也将其龙仁Y1厂和Y2厂投产时间提前至2027年2月和2028年下半年，以缓解供应压力。

业内专家提醒，新产能集中释放往往是半导体周期见顶的信号。综合各厂商扩产计划，DRAM市场景气高点可能出现在2028年下半年，而AI数据中心资本支出或于2029年进入平台期。这期间价格波动风险仍需警惕。

值得注意的是，中国存储厂商长鑫科技的3D DRAM技术商业化进程被视为行业潜在转机。该技术通过垂直堆叠存储单元提升密度，无需缩小制程节点即可实现容量翻倍，有望在2027年前打破现有供应格局。目前长鑫科技已启动量产前测试，市场正密切关注其技术突破进展。

（徽声在线 李明）