据徽声在线6月4日最新消息，SK海力士官方网站发布声明称，SK集团董事长崔泰源（Chey Tae-won）于周三与台积电董事长魏哲家举行了高层会晤。双方围绕人工智能领域的前沿技术发展动态展开了深入探讨，重点聚焦下一代高带宽内存（HBM）技术的研发路径与先进封装工艺的创新方向。

在会谈中，两家科技巨头达成重要共识：将通过技术协同与资源整合，在HBM4/HBM5等未来世代产品的研发上建立更紧密的合作关系，同时加速推进3D系统级封装（SiP）等先进封装技术的产业化进程。据内部人士透露，此次合作将涵盖从架构设计到量产优化的全链条，旨在构建覆盖数据中心、边缘计算等场景的定制化AI内存解决方案。

面对英伟达、谷歌等全球科技巨头对高性能计算内存的爆发式需求，SK海力士与台积电计划通过联合研发机制缩短产品迭代周期。特别在HBM领域，双方将整合SK海力士的存储芯片设计优势与台积电的先进制程工艺，开发具备更高带宽、更低功耗的新一代产品。市场分析机构预测，这种深度合作有望使双方在2025年前占据全球AI内存市场40%以上的份额。

值得关注的是，此次合作还涉及芯片-内存一体化封装技术的标准化制定。通过将HBM3E等存储单元直接集成至台积电的CoWoS封装平台，可显著提升AI加速器的运算效率。SK海力士相关负责人表示，公司正在建设专门的生产线来支持这种异构集成方案，首批合作产品预计将在2024年下半年向重点客户送样测试。