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三星电子率先攻克900层3D NAND技术难关 存储容量或迎百TB时代

来源:未知 作者:佚名 发布时间:2026-05-25 18:36:40

据徽声在线25日最新报道,三星电子在半导体存储技术领域取得重大突破,通过采用创新的单元多层键合(CMB)工艺,成功将两片450层3D NAND芯片进行垂直堆叠,开发出全球首款900层超高密度3D NAND闪存原型设备。目前该技术样品的存储单元核心性能参数已通过行业级验证测试,标志着三维闪存技术正式迈入千层级时代。(消息来源:ETNews)

据技术资料显示,此次突破性进展主要得益于三星独创的CMB键合技术,该技术通过分子级精密对准实现晶圆级无缝连接,在保持原有存储单元性能的同时,将垂直堆叠层数提升至传统产品的两倍。行业分析师指出,900层结构的实现不仅意味着单芯片存储容量将呈指数级增长,更可能推动固态硬盘(SSD)等终端产品的存储密度突破100TB级门槛。

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