上个月有报道称，长鑫存储（CXMT）已启动HBM3E风险试产。过去几年里，HBM对于AI芯片有着非常重要的作用。英伟达基于Hopper架构GPU的H200，是首款采用8层堆叠HBM3E的产品，随后基于Blackwell系列架构GPU的B200/GB200和B300/GB300同样采用了HBM3E，直到今年最新的Rubin架构GPU，才转向HBM4。

据TECHPOWERUP报道，长鑫存储已向国内多个客户交付HBM3E样品，预计未来两个月内开始量产HBM3E。长鑫存储早在2024年就开始了HBM3E的开发工作，现在终于走到一个里程碑时刻，取得了阶段性胜利。

目前长鑫存储主要面临的困难仍然是良品率问题，传闻现在HBM3E的良品率仅为20%至30%，远低于SK海力士的70%水平。由于良品率差距较大，长鑫存储现阶段HBM3E的生产成本肯定是高于其他竞争对手。尽管如此，随着国内AI芯片需要更多HBM产品，这部分市场存在短缺问题，长鑫存储扩大产能几乎是必然的选择。

另外性能表现也是另外一个挑战，早期测试显示长鑫存储的HBM3E与SK海力士、三星和美光存在技术差距。

一直以来，长鑫存储很少对外披露有关HBM产品的开发情况。在上个月的投资者简报会议上，长鑫存储管理层也没有直接回应相关的问题，仅表示按照现有的路线图开发产品及提升工艺技术。