2026-10-08
华为余承东在国际媒体圆桌会议上表示 EUV 设备是制造先进芯片关键,中国正研发,当下依赖 DUV,逻辑折叠技术可提升能力。Mate 90 系列搭载韬定律芯片,该定律提出新指导原则,多层级协同优化,预计 2031 年高端芯片晶体管密度达 1.4 纳米制程水平。 ... [详细]
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徽声在线 10 月 7 日资讯,华为海外社交平台账号于昨日发布了 9 月 29 日国际媒体圆桌会议的精华摘要。在此次会议上,华为常务董事、产品投资评审委员会主任以及终端 BG 董事长余承东,与多家国际知名媒体的记者,围绕华为消费者业务以及 HarmonyOS 生态系统展开了深入交流。 当被问及 AI、硬件以及极紫外光刻(EUV)相关问题时,余承东明确指出,极紫外光刻(EUV)设备无疑是制造先进芯片的核心要素。他透露,目前中国正积极投身于这些设备的研发工作,不过在当下阶段,国内在芯片制造方面仍主要依赖深紫外光刻(DUV)技术。而逻辑折叠(LogicFolding)技术,是在面临某些技术获取受限的困境时,用以提升芯片性能的一种创新方法。 此外,余承东还提到,手机的主处理器对于先进制程有着较高要求,但手机中的众多其他部件,对制程的要求并非那么严苛。基于此,华为运用系统工程的方法,持续对整体性能进行优化,以此弥补无法获取更先进制程的短板。 据徽声在线此前报道,在 10 月 1 日华为举办的 Mate 90 系列及全场景新品发布会上,华为年度旗舰机型——Mate 90 系列手机正式亮相,该系列全系搭载了韬定律芯片。
根据华为官方的详细介绍,韬定律提出以“时间 (τ) 缩微”取代“几何缩微”,作为半导体与电子系统演进的新指导原则。通过逻辑折叠等前沿创新技术,持续压缩信号传播时延,不断提升晶体管密度,进而推动半导体与电子系统不断向前发展。这一理念为芯片技术的突破提供了全新的思路和方向。 “逻辑折叠 (LogicFolding)”等核心技术,构建起了一个贯穿器件、电路、芯片直至系统层面的多层级协同优化体系。该体系以系统性降低时间常数 τ 为核心目标,致力于驱动各层级在性能、能效、晶体管密度等方面持续提升: 在器件层面:通过精心优化晶体管和互连电阻以及寄生电容,从物理底层最大程度地缩微器件级时间常数 τ,为芯片性能提升奠定基础;在电路层面:借助逻辑折叠技术突破传统平面布局的物理限制,显著缩短关键路径的走线长度,同时有效降低信号传播的电阻和电容负载,实现晶体管密度和电路性能的大幅跃升;在芯片层面:通过“软件、架构、芯片”的全栈软硬芯协同设计,依据实际工作负载对指令流和数据流进行细粒度控制,提高系统级并行度和效率,大幅降低端到端执行时间,提升芯片整体效能;在系统层面:定义灵衢总线,重构计算系统互联协议,实现超节点的统一内存编址和原生内存语义,大幅降低系统通信时延,提升系统整体运行效率。 值得一提的是,按照相关预测,到 2031 年,基于韬 (τ) 定律的高端芯片晶体管密度将达到 1.4 纳米制程的同等水平,这无疑将为芯片行业带来新的变革和发展机遇。 |
2026-10-08
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