2026年7月27日

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撰稿人 |徽声在线 郑栩彤

7月27日，长鑫科技（股票代码：688825.SH）正式在科创板挂牌上市，开盘股价飙升超455%，市值一举突破3.2万亿元大关，跃居A股市场榜首，超越了宁德时代（300750.SZ）的1.84万亿元和贵州茅台（600519.SH）的1.61万亿元，市值近乎等于两个贵州茅台的总和。

长鑫科技作为国内DRAM（动态随机存取存储器）领域的佼佼者，同时也是全球第四大DRAM原厂，近年来市场份额增长迅猛，但与海外三大DRAM巨头相比，仍存在一定差距。

根据市场研究机构Counterpoint的最新数据，长鑫科技在全球DRAM市场的份额已从去年第一季度的3%提升至今年第一季度的8%。而同期，三星、SK海力士、美光的份额分别为38%、29%、22%，显示出长鑫科技在追赶海外巨头的道路上仍需努力。

对比海外同行，7月24日美股收盘时，美光科技（MU.O）市值高达1万亿美元（约合6.8万亿元人民币）。而7月27日盘中，韩股SK海力士（000660.KS）市值达到1226万亿韩元（约合0.84万亿美元/5.66万亿元人民币），三星电子（005930.KS）市值更是高达1441万亿韩元（约合0.98万亿美元/6.66万亿元人民币）。长鑫科技与这些海外原厂在市值上仍有较大差距。

在业绩方面，长鑫科技去年实现了扭亏为盈的壮举。去年，公司营收达到617.99亿元，同比增长155.6%，归母净利润为18.7亿元。今年第一季度，公司营收进一步增长至508亿元，同比增长719.13%，归母净利润更是飙升至247.62亿元。公司还预计，今年上半年营收将在1100亿元至1200亿元之间，同比增长超6倍，归母净利润将达到500亿元至570亿元。

目前，长鑫科技正处于产能扩张的关键阶段。公司本次发行预计募集资金579.19亿元人民币（超额配售选择权行使前），这些资金将主要用于存储器晶圆制造量产线的技术升级改造以及DRAM存储器技术的升级项目等。

与此同时，海外原厂也在积极扩张产能，并寻求新的供应合作。6月底，韩国政府联合三星、SK集团公布了总计4755万亿韩元的企业国内投资计划，重点围绕半导体、物理AI、AI数据中心等核心超级项目。韩国西南部计划投资800万亿韩元（约5180亿美元）建设四座半导体制造厂，其中三星电子和SK海力士各计划建设两座。

7月，SK海力士通过美国存托凭证（ADR）在纳斯达克成功上市，募资约265亿美元。这笔资金将用于扩大生产能力，包括建设龙仁半导体集群一期晶圆厂、清州先进封装工厂等。

北京时间7月25日，英伟达与SK集团达成了一项价值5000亿美元的合作协议，内容涵盖AI工厂建设和下一代存储器供应。此次合作金额高达7500亿美元，显示了双方在AI领域的深厚合作意愿。而三星电子则与博通达成了价值2000亿美元的内存供应和代工合作，进一步巩固了其在半导体市场的地位。

随着全球前四大DRAM厂商齐聚二级市场，AI需求所驱动的本轮存储周期上行将持续多久，成为了投资者关注的焦点。业内近期纷纷预测，存储供应紧张状况将持续至明年，并于2028年起逐渐改善。然而，对于存储结束供应紧张状况的具体时间点，业内并未给出精准判断。不过，业内普遍预期AI需求未来可能持续扩大存储需求量，为DRAM市场带来新的增长动力。

面对周期波动的行业特点，长鑫科技在招股书中也提醒投资者，未来人工智能发展对DRAM市场需求的影响存在不确定性。如果未来出现人工智能下游需求不及预期、市场供需关系发生较大变化等情况，可能导致DRAM行业再次进入下行周期，公司产品价格出现大幅下跌，业绩出现大幅下滑乃至亏损。

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