随着全球半导体存储技术加速向300 层以上超高堆叠 3D NAND 以及 D1b、D1c 及更先进的 DRAM 工艺节点演进，存储芯片内部的字线（Wordline）与接触孔（Contact）技术正面临前所未有的物理极限挑战。近期，二氯二氧化钼（MoO2Cl2）作为核心钼（Mo）源前驱体，在半导体先进制程领域引发高度关注。面对这一关键技术窗口，国内领先的半导体薄膜前驱体材料及配套设备供应商——上海庆建廷科技有限公司（以下简称“庆建廷科技”）宣布，其自主研发的MoO2Cl2高纯前驱体材料及全套固态升华传输系统，已在客户端顺利完成长达一年的实机测试与稳定运行，标志着我国在高端固态前驱体“材料+设备”一体化解决方案上取得重要突破。

图1：上海庆建廷科技MoO2Cl2核心技术全链路布局

聚焦下一代存储金属化工艺，MoO2Cl2成为3D NAND与DRAM演进关键材料

在当前先进存储芯片的微缩与堆叠竞赛中，传统的金属钨（W）和六氟化钨（WF6）工艺体系已逐渐逼近物理与工程极限。由于钨的电子平均自由程较长，且在沉积时必须先制备一层氮化钛（TiN）阻挡层以防止氟原子侵蚀硅基底，这导致在极小特征尺寸下，真正用于导电的金属体积被大幅压缩，引起电阻率呈指数级飙升。

金属钼（Mo）凭借在纳米尺度下显著低于钨的电阻率、极短的电子平均自由程，以及可实现“无阻挡层（Barrierless）”直接沉积的独特优势，成为存储芯片巨头破局的关键：

在 3D NAND 领域：随着堆叠层数突破 200 层并向 300 层、400 层以上迈进，如何减薄每层厚度以控制整体沟道深宽比成为核心难题。采用钼替代钨作为字线（Wordline）填充金属，不仅能省去 TiN 阻挡层、大幅降低字线电阻并减少 RC 延迟，还能将垂直层间距显著缩减，直接赋能超高层数 3D NAND 的垂直微缩（Z-scaling）。

在 DRAM 领域：随着制程节点向 D1b、D1c 以及未来的 3D DRAM 演进，埋入式字线（Buried Wordline）和位线接触孔的线宽极度微缩。引入金属钼能够有效突破微细沟槽内的导电瓶颈，在显著降低功耗的同时提升信号传输速率。

而在众多钼前驱体材料中，MoO2Cl2（二氯二氧化钼） 凭借较高的饱和蒸气压、优异的台阶覆盖率（Step Coverage），以及完全不含氟（Fluorine-free）从而彻底消除氟残留对存储单元结构腐蚀风险的特性，成为当前 3D NAND 与 DRAM 产线导入原子层沉积（ALD）/化学气相沉积（CVD）钼工艺的首选前驱体。然而MoO2Cl2在常温下呈固态，其高纯度合成、防团聚填充以及极高要求的稳定气化与热管理传输，一直是制约其大规模量产应用的行业痛点。

两年磨一剑：打通“从材料合成到进入主机台前”的全链路技术闭环

凭借对半导体技术演进趋势的敏锐洞察，庆建廷科技早在两年前便前瞻性地启动了MoO2Cl2相关技术的内部立项。不同于传统的单一材料或单一设备供应商，庆建廷科技依托自身“材料+设备”双轮驱动的独特基因，打造了贯穿全流程的一体化技术方案。

该套方案全面覆盖了以下核心环节：

高纯材料合成及纯化：攻克微量金属杂质与挥发性杂质控制难题，实现超高纯度MoO2Cl2的稳定制备；

固态粉末填充前处理：独创粉末预处理与均质化工艺，有效避免固态前驱体在长期使用中的板结与沟流效应；

专用钢瓶自主设计：针对固态源流体力学与热传导特性定制内部结构，大幅提升前驱体利用率与出气稳定性；

固态升华及传输系统：实现高精度、高重复性的气化控制，满足先进制程严苛的脉冲剂量要求；

自动热管理输送管路：全路径精密控温设计，彻底解决固态前驱体在长距离输送中的冷点凝结与管路堵塞风险。

通过这五大核心技术的深度耦合，庆建廷科技真正实现了“为客户提供从材料端到进入工艺主机台（Process Tool）之前的所有技术服务”，帮助晶圆厂客户显著降低了新材料导入的工程匹配难度与供应链验证周期。

客户端实测满周年，15 项发明专利构筑坚实知识产权护城河

技术的领先性最终需要产线数据的验证。早在去年年底，庆建廷科技便将这套完整的MoO2Cl2材料与固态输送系统交付至客户端并启动测试。截至目前，该系统已在客户端连续稳定运行满一年，各项工艺与设备指标表现优异。在一年的高强度实机运行中，研发团队不仅验证了全套方案的可靠性，更收集并积累了海量的一线热力学与流体传输宝贵数据，为公司目前正在推进的下一代超精密固态前驱体技术迭代奠定了坚实的数据基石。

与此同时，庆建廷科技高度重视核心技术的自主知识产权保护。围绕MoO2Cl2的合成纯化、特种钢瓶结构、固态升华控制及热管理管路等关键节点，公司已同步申请了多达 15 项国家发明专利，并于近期陆续收到专利授权通知，构建起严密的技术壁垒。

图2：庆建廷科技相关专利一览

双基地协同发力，成熟量产实力赋能国内头部 Fab

这一突破性成果的快速落地，离不开庆建廷科技完善的研发与产业化布局。据介绍，在这套技术体系中：

材料端的研发与制备，依托上海庆建廷科技位于上海化学工业区科创中心的研发及中试基地完成。该基地具备完备的先进前驱体合成、提纯与痕量分析检测能力；

图3：庆建廷科技研发及中试基地

专用钢瓶及输送设备类技术，依托庆建廷科技旗下的专业设备研发及生产基地完成。值得关注的是，该设备基地目前已具备高度成熟的产业化交付能力，其自主研发生产的前驱体自动补液系统（Auto-Refill System）已实现规模化量产出货，稳定供应国内多家头部晶圆制造企业（Fab），在产线端赢得了极佳的口碑。

图4：庆建廷科技设备研发及生产基地

展望未来，上海庆建廷科技将继续秉持“材料与设备深度协同”的创新理念，持续深化以MoO2Cl2为代表的先进前驱体材料及特种输送系统的迭代升级，助力国内半导体产业链在先进制程关键环节实现更高水平的自主可控。

关于上海庆建廷科技有限公司

上海庆建廷科技有限公司是一家专注于半导体薄膜前驱体材料、配套前驱体自动补液系统及特种输送设备研发、生产与销售的高科技企业。公司拥有位于上海化工区科创中心的材料研发中试基地，以及成熟的设备研发制造基地，致力于为集成电路制造客户提供从高纯度化学品到精密输送系统的一站式交钥匙解决方案。