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徽声在线

三星DRAM芯片良率显著提升,HBM3E与HBM4迎来新突破

来源:未知 作者:佚名 发布时间:2026-05-19 21:06:29

徽声在线5月19日讯,根据行业内部知情人士向媒体透露的最新消息,三星电子旗下DS部门近期在DRAM芯片制造领域取得了显著进展。具体而言,该部门成功将应用于HBM3E核心芯片的10纳米级第五代(1b)DRAM的良率提升至92%,这一数据是基于冷态测试得出的。与此同时,三星还宣布,其计划安装在下一代HBM4上的第六代(1c)DRAM的良率也已突破75%大关,实现了稳步增长。

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