徽声在线5月12日消息 在过去数年里，三星电子置身于DRAM与HBM市场的激烈角逐之中，旗下众多新型半导体业务的发展进程一度被搁置。不过，随着主要存储器业务逐渐趋于稳定，三星电子似乎正酝酿着重启针对下一代半导体的推进计划。

据ETNews的最新报道，三星电子DS事业部正在紧锣密鼓地商讨恢复对下一代半导体的研发与投资事宜。此次商讨的核心要点聚焦于研发方向以及设施投资的时间规划，涵盖的领域包括下一代NAND闪存、化合物半导体以及基板等关键板块。

有知情人士透露，三星电子正积极与合作伙伴公司分享有关技术开发和设施投资的相关信息。该公司认为，其存储器领域的基本竞争力已恢复到一定水准，因此开始着手重启未来增长引擎的创新工作，预计一些新业务的关键计划将在不久后敲定。

在人工智能行业如日中天的当下，究竟哪些方向被三星视作未来增长的关键引擎呢？

第十代NAND“V10”：技术革新引领存储新潮流

回溯去年，三星电子曾规划于今年上半年搭建第十代NAND（V10）生产线，并计划在下半年开启量产进程。然而截至目前，采购订单仍未正式下达。

据相关报道，三星电子已经重新启动了关于V10，也就是400层NAND的投资项目。由于层数的大幅增加，垂直堆叠存储单元之间用于信号交换的通道孔必须挖掘得更深。为解决这一问题，三星电子将采用低温蚀刻技术，目前正处于低温蚀刻设备供应商筛选的最后阶段。低温蚀刻技术能够有效控制蚀刻过程中的温度，减少对材料的损伤，从而提高产品的质量和性能。

此外，V10还将采用“晶圆间（W2W）”键合技术，并引入用于精确切割晶圆的激光加工技术。这项激光加工技术意义重大，它旨在通过一种能够最大限度减少异物产生且不影响微电路的切割方法，来提升NAND闪存的性能和良率。在半导体制造过程中，切割环节至关重要，任何微小的瑕疵都可能影响产品的整体性能，而激光加工技术的引入将有效解决这一问题。

氮化镓和碳化硅：化合物半导体的新机遇

三星电子正在重启的另一项极具潜力的新业务是化合物半导体，其中氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 是典型代表。早在2023年，三星电子便开始向GaN和SiC生产线转型，这一举措旨在最大限度地提高其8英寸半导体代工生产线的效率。随着科技的不断进步，化合物半导体在电力电子、通信等领域的应用越来越广泛，市场需求也日益增长。

据悉，三星电子已与部分合作伙伴就SiC生产所需新增设备的规模展开了深入讨论。业内人士预测，三星电子将于今年开始着手建立供应链，预计到2027年将建成原型生产试点生产线，并于2028年正式开始量产SiC。SiC具有高击穿电场、高电子迁移率等优异特性，在高温、高频、大功率等应用场景中具有独特的优势，其量产将为三星电子在化合物半导体领域的发展奠定坚实基础。

业内人士还透露，三星电子已开始大力推进其GaN和SiC业务，并将其视作重要的战略发展方向。GaN同样具有出色的性能，在快充、5G通信等领域有着广泛的应用前景，三星电子的积极布局有望在这些领域取得突破。

玻璃基板：封装领域的创新之选

据报道，三星电子正积极寻求通过与多家基板制造供应链企业合作，来加速玻璃基板的普及应用。玻璃基板作为一种新型的封装基板，在高密度互连、高频信号传输等应用中展现出独特的优势。与传统的封装基板相比，玻璃基板具有更好的电气性能、热稳定性和机械强度，能够满足现代电子产品对高性能、小型化的需求。

业内人士表示：“三星电子正在广泛联系多家供应商，对玻璃基板的性能和质量进行全面的比较和分析。”他还补充道：“据了解，他们正在精心协调一项供应链多元化战略，以推进玻璃基板的引入。通过与多家供应商合作，三星电子可以降低供应链风险，确保玻璃基板的稳定供应，从而更好地满足市场需求。”

与此同时，SoCAMM作为一种迅速崛起的低功耗内存模块，也有望成为三星电子的重点布局对象。据悉，三星电子正在为英伟达等人工智能应用大规模生产SoCAM 2，预计将增加供应量以满足未来不断增长的需求。随着人工智能技术的快速发展，对低功耗、高性能内存模块的需求将持续增加，三星电子的这一布局将有助于其在人工智能市场中占据更有利的地位。