《科创板日报》11月10日讯随着先进DRAM供应日趋紧张、市场需求持续增长，韩国“存储双雄”正加紧锁定光刻机供应，以支撑下一代存储芯片量产扩张。

据韩媒援引业内消息人士报道，三星电子与SK海力士正竞相订购ASML的极紫外（EUV）光刻设备，各自投资上限或达到20万亿韩元（约合人民币992亿元）。此前ASML宣布，EUV设备将出现供应短缺，因此锁定设备交付档期已成为扩大先进DRAM产能的关键。

业内人士指出，由于设备交付周期据称已翻倍，两家公司都在考虑提前下单以确保供应，未来或将进一步推高资本支出。

今年3月，SK海力士曾披露一项价值约11.95万亿韩元的EUV设备采购计划，相当于其2024年底总资产的9.97%。该订单计划于2027年12月31日前交付，以支持该公司向1c DRAM的过渡。

三星电子也在积极拓展其先进DRAM产能，该公司正在平泽P4工厂增设HBM4单晶DRAM生产线。同时，公司也在推进P5工厂的建设，该工厂的首座晶圆厂预计将于2028年投产。据报道，三星电子已为P5工厂订购了光刻设备，预计在第一阶段洁净室于2027年上半年完工后，设备即可投入使用。

此外，两家公司都在准备采用更先进的高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）技术进行下一代DRAM的生产。

据悉，三星电子和SK海力士计划于2027年开始量产1D DRAM，随后于2028年开始小规模生产10nm以下的0a DRAM。高数值孔径极紫外光刻技术预计将在0a阶段引入，最初用于部分层，据报道，三星正在考虑仅在一到两层中使用，以平衡成本和良率。

另一边，EUV设备供应短缺或延续至2028年。ASML在10月发布的财报中警告称，计划中的供应量在2027年和2028年都将无法满足需求，一些客户甚至已经表示有意订购2029年乃至2030年的设备。

目前，该公司正在探索如何扩大其2028年的产能，使其超过此前预期的30%的同比增长目标。据其三季报，存储器供应商贡献了系统收入的46%。ASML表示，核心产品价格上涨的影响将从明年开始显现，预计将在2028年全面显现。

类似的短缺还发生在后端设备领域，包括韩美半导体、Amkor（安靠）等厂商订单积压均已长达两到三年，随着进入最终下单阶段，各公司正扩大AI数据中心相关设备的产能，其中包括用于HBM制造的热压（TC）键合机。

东方财富证券判断，AI投资周期仍处上行阶段，需求有望从算力芯片向存储、制造与设备扩散，存储涨价与设备紧缺有望延续至2027年。

东吴证券指出，半导体设备前道规模效应逐步显现，AI算力建设带动先进逻辑、先进存储及先进封装设备需求，国产设备在客户验证、量产导入和份额提升方面仍有较大空间，看好国产设备商陆续兑现业绩。

（科创板日报 张真）