据徽声在线旗下《科创板日报》16日最新消息，国内存储芯片领域迎来重要融资进展——宁波领开半导体技术有限公司（以下简称“领开半导体”）近日顺利完成A+轮战略融资，投资阵容包括三花弘道投资、德同资本及辰韬资本三大知名机构，不过具体融资金额尚未对外公布。

本轮融资资金将重点投向新一代HBF+芯片的研发迭代、规模化量产及市场生态建设，标志着该公司在自主存储架构领域向产品化、商业化应用迈出关键一步。值得关注的是，德同资本已连续两轮追加投资，彰显对领开半导体技术路线的高度认可。

根据财联社创投通—执中数据预测模型显示，以2026年9月为基准节点，领开半导体未来两年内获得新一轮融资的概率高达88.41%，反映出资本市场对其发展潜力的持续看好。

公开资料显示，领开半导体成立于2020年，总部坐落于浙江省宁波市镇海区，是一家专注于存储芯片研发的创新型企业。公司依托自主研发的ATopFlash技术体系及HBF+架构，成功打破传统存储技术瓶颈，形成差异化竞争优势。

技术突破方面，领开半导体通过融合3D NAND的高密度存储特性与DRAM的并行读取优势，创新推出新一代HBF+芯片。该产品具备三大核心优势：其一，读操作性能指标全面对齐并兼容HBM4标准；其二，通过自有工艺与芯片设计的协同优化，数据访问路径效率显著提升；其三，采用独立制造流程，不占用传统DRAM产能资源。这些特性使其在AI推理、大数据分析等高带宽场景中展现出独特价值。

当前，公司正围绕AI大模型权重存储的特殊需求，加速推进HBF+芯片的产品验证与客户适配工作。通过优化存储架构设计，在保障推理性能的同时，有效降低客户的部署成本与运行能耗，为国产化存储解决方案的规模化应用奠定基础。

从行业视角观察，高带宽闪存赛道正迎来政策红利与资本涌入的双重驱动。在技术突破与产业化落地的关键阶段，领开半导体的创新实践具有重要示范意义。

资本化进程方面，国际存储巨头铠侠控股近日宣布启动美国存托股票（ADS）上市计划，拟通过登陆美国证券交易所扩大投资者基础，此举被视为提升企业估值的重要战略举措。

竞争格局持续演变：铠侠率先推出高带宽闪存（HBF）原型产品，其存储容量达到HBM3E模块的40倍；闪迪则发布HBF垂直堆叠方案，借鉴HBM技术路径，通过TSV硅通孔实现多层互联，单堆容量突破4TB大关。这些技术进展为行业树立了新的标杆。

政策层面持续加码：工业和信息化部与国家发展改革委联合发布的《电子信息制造业发展“十五五”规划》明确提出，要加快发展先进存力技术，推动“以存强算”“以存代算”创新模式，重点研发高带宽闪存、高带宽内存等新型存储产品。上海市人民政府在《现代化产业体系“十五五”规划》中也强调，要提升存储芯片的国际化竞争力，推动关键技术达到世界领先水平。

行业分析机构高盛在最新研报中指出，闪迪投资者日释放的积极信号超出市场预期，特别是HBF技术在AI存储领域展现出的额外增长空间，有望成为驱动行业发展的新引擎。

（科创板日报记者 徐杰）