徽声在线8月31日讯（编辑 李莹 改写）近期，AI加速器领域的关键组件——高带宽内存（HBM）等DRAM产品，其市场价格呈现出持续且显著的攀升态势。据行业内部消息透露，全球存储芯片市场的两大巨头——三星电子与SK海力士，目前正面临着难以满足DRAM需求激增的严峻挑战。

根据韩国国际贸易协会（KITA）最新发布的数据，韩国AI芯片用DRAM的出口量在5月至7月期间出现了明显下滑，从约6.817亿个减少至5.9174亿个，降幅达到了13.2%。然而，令人瞩目的是，同期出口总额却实现了逆势增长，从114.3亿美元增至135.5亿美元，涨幅高达18.5%。

这一变化背后，是DRAM平均单价的显著提升，从16.76美元跃升至22.90美元，涨幅达到了惊人的36.6%。

深入分析这一现象，媒体报道指出，量减价涨的背离趋势主要源于HBM4向英伟达等大客户供货量的增加。由于HBM4目前仍处于量产初期阶段，其良率相较于上一代HBM3E有所降低，导致生产过程中消耗的DRAM数量大幅增加，进而加剧了DRAM市场的整体短缺状况。

韩国半导体产业协会（KSIA）常务董事Ahn Ki-hyun对此表示：

"HBM产品每推出一代新品，良率往往都会有所下降。而HBM4的售价约为上一代的两倍，因此随着存储厂商提高产量，DRAM的消耗量也随之上升，最终导致出口总量出现萎缩。"

此外，媒体报道还揭示了供应紧张的另一重要原因：两家厂商将长期协议（LTA）作为销售结构的核心，这进一步加剧了现货市场的紧张局势。

据业内人士透露，三星存储事业部已经将2031年前的约70%产能分配给了LTA订单，主要客户包括英伟达、微软和谷歌等全球科技巨头。然而，即便是这些大客户也无法获得全部合约量。

随着HBM争夺战的日益激烈，现货价格与长协价格之间的差距也在不断扩大。

媒体援引存储市场研究机构MegaGrid Supply的最新数据指出，36GB的HBM3E产品现货售价已经高达2100美元，约合287万韩元，是其长期合约价格（约50万至70万韩元）的四到五倍。

而对于正在准备量产的16层HBM4产品，如果通过现货市场采购，价格更是高达3500美元，约合480万韩元。目前，其对应的长协价格尚未公布。

价格上涨直接推动业绩攀升

HBM价格的上涨直接转化为了两家公司的业绩增长。据媒体援引金融投资业分析师的测算，三星电子和SK海力士在第三季度的业绩将再创历史新高。

具体来看，三星电子第三季度市场一致预期的营业收入为206.64万亿韩元，营业利润为116.38万亿韩元，远高于第二季度的171.50万亿韩元和89.49万亿韩元。

业内专家指出，如果营业利润突破100万亿韩元，这不仅在韩国企业中尚属首次，即便在全球科技巨头中也是极为罕见的。

与此同时，SK海力士第三季度的营业收入预计为101.76万亿韩元，环比增长28.2%；营业利润79.16万亿韩元，环比增长30.7%。

积极推进产能扩张以应对短缺

面对市场短缺的现状，三星电子与SK海力士正积极多线推进产能扩张计划。

据报道，三星电子器件解决方案部门的高管正在评估一项方案，即最早于明年将平泽园区唯一一条承接外部客户订单的代工产线S5改造为存储生产设施，以增加HBM的产量。

同时，据业内消息，SK海力士也在考虑与当地伙伴在日本设立合资工厂的可能性。业内尤为关注的是，SK海力士可能会扩大与铠侠的合作——后者为日本最大的NAND闪存厂商，而SK海力士实际上是其最大股东。

然而，扩产并非一蹴而就。Ahn Ki-hyun表示："解决芯片短缺问题需要建设更多的生产工厂。即便计划中的新厂投产，短缺状况也只会得到缓解，而不会被完全消除。"

（徽声在线 李莹 改写）