2026年7月27日

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撰稿人 |徽声在线 郑栩彤

7月27日，存储芯片领域迎来历史性时刻——长鑫科技（688825.SH）正式登陆科创板，开盘股价飙升455%，总市值突破3.2万亿元大关，一举超越宁德时代（300750.SZ）的1.84万亿元和贵州茅台（600519.SH）的1.61万亿元，相当于两个贵州茅台的市值总和。这一数据不仅刷新了A股市场纪录，更标志着国产存储芯片产业迈入全新发展阶段。

作为国内DRAM（动态随机存取存储器）领域的领军企业，长鑫科技目前位列全球第四大DRAM原厂。自2023年以来，其市场份额呈现爆发式增长，但与三星、SK海力士、美光三大国际巨头相比，仍存在显著差距。据Counterpoint最新数据显示，长鑫科技在全球DRAM市场的占有率已从2023年第一季度的3%跃升至2024年第一季度的8%，展现出强劲的增长势头。

具体来看，2024年第一季度全球DRAM市场竞争格局呈现明显分化：三星以38%的市场份额稳居榜首，SK海力士紧随其后占29%，美光占22%，而长鑫科技以8%的份额位居第四。值得注意的是，三大海外厂商合计占据着89%的市场份额，显示出行业集中度依然较高。从市值对比来看，7月24日美股收盘时，美光科技（MU.O）市值达1万亿美元（约合6.8万亿元人民币）；7月27日盘中，SK海力士（000660.KS）市值1226万亿韩元（约合5.66万亿元人民币），三星电子（005930.KS）市值1441万亿韩元（约合6.66万亿元人民币），长鑫科技与这些国际巨头的市值差距仍然明显。

在财务表现方面，长鑫科技展现出惊人的成长速度。2023年全年，公司实现营业收入617.99亿元，同比增长155.6%，归母净利润达18.7亿元，成功实现扭亏为盈。进入2024年，这种增长态势更加迅猛：第一季度营收508亿元，同比激增719.13%，归母净利润高达247.62亿元。公司预计，2024年上半年营收将达1100亿元至1200亿元，同比增长超过6倍，归母净利润预计在500亿元至570亿元之间。这种爆发式增长既得益于全球存储芯片市场的回暖，也反映出公司在技术研发和产能扩张方面的显著成效。

当前，长鑫科技正处于产能扩张的关键阶段。本次IPO预计募集资金579.19亿元人民币（超额配售选择权行使前），这些资金将主要用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造、DRAM存储器技术升级等核心项目。公司计划通过持续的技术投入和产能提升，进一步缩小与国际领先企业的差距。据行业分析师指出，长鑫科技目前正在研发的17nm DRAM工艺已进入关键验证阶段，一旦量产成功，将显著提升其产品竞争力。

在国际市场，其他DRAM巨头也在加速布局。6月底，韩国政府联合三星、SK集团宣布了总计4755万亿韩元的企业国内投资计划，重点聚焦半导体、物理AI、AI数据中心三大核心领域。其中，韩国西南部计划投资800万亿韩元（约5180亿美元）建设四座半导体制造厂，三星电子和SK海力士各承担两座的建设任务。这一大规模投资计划将进一步巩固韩国在全球半导体产业的领先地位。

7月，SK海力士通过美国存托凭证（ADR）在纳斯达克成功上市，募资约265亿美元。这笔资金将主要用于扩大生产能力，包括建设龙仁半导体集群一期晶圆厂、清州先进封装工厂等重点项目。与此同时，7月25日，英伟达与SK集团达成了一项价值5000亿美元的超级合作协议，内容涵盖AI工厂建设和下一代存储器供应。更令人瞩目的是，SK集团此次与美国公司的合作总金额高达7500亿美元，创下半导体行业合作新纪录。三星电子也不甘示弱，同期与博通达成价值2000亿美元的内存供应和代工合作协议。

面对如此激烈的市场竞争，全球前四大DRAM厂商齐聚二级市场后，AI需求驱动的本轮存储周期上行能持续多久成为投资者关注的焦点。业内普遍预测，当前存储芯片供应紧张的状况将持续至2025年，并可能在2028年起逐渐缓解。不过，对于存储市场何时结束供应紧张状态，业内尚未形成精准共识。多数分析师认为，随着AI技术的快速发展，未来对存储芯片的需求量将持续扩大，特别是在训练大模型和数据处理领域，对高性能DRAM的需求将呈现指数级增长。

针对行业周期性波动的特点，长鑫科技在招股书中特别提醒投资者注意相关风险。公司指出，未来人工智能发展对DRAM市场需求的影响存在不确定性，如果AI下游需求不及预期或市场供需关系发生重大变化，DRAM行业可能再次进入下行周期。这种情况下，公司产品价格可能出现大幅下跌，进而导致业绩大幅下滑甚至亏损。为应对这一风险，长鑫科技正在构建多元化的产品体系，并加大在汽车电子、工业控制等新兴领域的布局力度。

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