2026年7月27日

本文篇幅：1241字，预计阅读时间约2分钟

撰稿人 |徽声在线 郑栩彤

7月27日，长鑫科技（股票代码：688825.SH）正式在科创板挂牌上市，开盘即展现出强劲势头，涨幅超过455%，市值一举突破3.2万亿元大关。这一数字不仅让长鑫科技在A股市场中独占鳌头，超越了宁德时代（300750.SZ）的1.84万亿元市值和贵州茅台（600519.SH）的1.61万亿元市值，其市值规模更是相当于两个贵州茅台的总和。

作为国内DRAM（动态随机存取存储器）领域的领军企业，长鑫科技同时也是全球第四大DRAM原厂。近年来，其市场份额持续增长，但与全球三大海外DRAM原厂相比，仍存在一定的差距。

根据市场研究机构Counterpoint的最新数据，长鑫科技在全球DRAM市场的份额已从去年第一季度的3%提升至今年第一季度的8%。然而，在同一时期，三星、SK海力士、美光的市场份额分别为38%、29%、22%，显示出长鑫科技在追赶海外巨头方面仍有较长的路要走。

在市值方面，与海外DRAM原厂相比，长鑫科技也存在不小的差距。以7月24日美股收盘为例，美光科技（MU.O）市值高达1万亿美元（约合6.8万亿元人民币）。而7月27日盘中，韩股SK海力士（000660.KS）市值达到1226万亿韩元（约合0.84万亿美元/5.66万亿元人民币），三星电子（005930.KS）市值更是高达1441万亿韩元（约合0.98万亿美元/6.66万亿元人民币）。

在业绩方面，长鑫科技去年实现了扭亏为盈的显著转变。去年，公司营收达到617.99亿元，同比增长155.6%，归母净利润为18.7亿元。今年第一季度，长鑫科技的营收更是飙升至508亿元，同比增长719.13%，归母净利润也达到了247.62亿元。公司还预计，今年上半年营收将在1100亿元至1200亿元之间，同比增长超过6倍，归母净利润预计在500亿元至570亿元之间。

目前，长鑫科技正处于产能扩张的关键阶段。公司本次发行预计募集资金579.19亿元人民币（超额配售选择权行使前），这些资金将主要用于存储器晶圆制造量产线的技术升级改造以及DRAM存储器技术的升级项目等，以进一步提升公司的生产能力和技术水平。

与此同时，海外DRAM原厂也在积极扩张产能，并寻求新的供应合作。6月底，韩国政府联手三星、SK集团公布了总计4755万亿韩元的企业国内投资计划，重点围绕半导体、物理AI、AI数据中心等核心超级项目进行投资。其中，韩国西南部计划投资800万亿韩元（约5180亿美元）建设四座半导体制造厂，三星电子和SK海力士各计划建设两座。

7月，SK海力士通过美国存托凭证（ADR）在纳斯达克成功上市，募资约265亿美元。这笔资金将用于扩大生产能力，包括建设龙仁半导体集群一期晶圆厂、清州先进封装工厂等项目，以进一步提升公司的市场竞争力。

此外，北京时间7月25日，英伟达与SK集团达成了一项价值5000亿美元的合作协议，内容涵盖AI工厂建设和下一代存储器供应。SK集团此次与美国公司的合作金额高达7500亿美元，显示出其在全球半导体市场的雄心壮志。而三星电子则与博通达成了一项价值2000亿美元的内存供应和代工合作协议，进一步巩固了其在半导体领域的地位。

随着全球前四大DRAM厂商齐聚二级市场，AI需求所驱动的本轮存储周期上行将持续多久成为了投资者关注的焦点。业内近期纷纷预测，存储供应紧张的状况将持续至明年，并预计在2028年起逐渐改善。然而，对于存储结束供应紧张状况的具体时间点，业内并未给出精准判断。不过，业内普遍预期AI需求未来可能会持续扩大存储需求量，为DRAM市场带来新的发展机遇。

面对周期波动的行业特点，长鑫科技在招股书中也提醒投资者注意未来人工智能发展对DRAM市场需求的影响存在不确定性。如果未来出现人工智能下游需求不及预期、市场供需关系发生较大变化等情况，可能导致DRAM行业再次进入下行周期，公司产品价格可能出现大幅下跌，业绩出现大幅下滑乃至亏损的风险。

微信编辑| 七三

：[email protected]

：[email protected]