徽声在线9月8日讯（编辑 李轩）综合多方消息，当前高带宽内存（HBM）市场呈现供不应求态势，三星电子已将4纳米制程产能的显著比例转向内存芯片生产。据行业观察，由于AI算力需求激增，HBM芯片缺口持续扩大，三星电子已将4纳米制程约半数产能用于HBM4内存芯片制造。

最新数据显示，截至8月底，三星4纳米芯片产线中50%-60%的产出已转向HBM4基础裸片生产，该制程产线目前处于满负荷运转状态。值得关注的是，三星通过优化生产流程，使HBM4基础裸片良率较初期提升12%，这为其抢占市场份额提供关键支撑。

据供应链人士透露，三星韩国平泽工厂的S5、S6两条晶圆产线承担着4-7纳米芯片生产任务。其中4纳米产线月产能达3万片晶圆，当前约1.5万片用于HBM4基础裸片制造。为应对需求，三星计划在第四季度将该产线月产能提升至3.5万片，并引入极紫外光刻（EUV）技术优化制程精度。

技术升级方面，三星正加速2纳米HBM芯片研发进程。消息称其拟改造器兴工业区生产线，采用GAA晶体管架构开发2纳米HBM基础裸片。该产品若研发成功，将优先供应英伟达Blackwell架构GPU，预计可使AI训练效率提升40%。目前三星已组建200人专项团队攻克散热与信号完整性难题。

产能博弈升级

KB Securities最新研报指出，三星与SK海力士的存储芯片库存已降至8.5天供应量，预计2025年HBM芯片缺口将达35%。这种紧张局势源于AI数据中心建设提速，单个人工智能服务器对HBM容量需求较传统服务器增长15倍。

扩产竞赛中，三大存储厂商呈现差异化策略：三星电子投入1.2万亿韩元扩建平泽P4工厂，重点提升HBM4产能；SK海力士则与台积电建立战略联盟，外包基础裸片生产以专注封装环节；美光科技选择在台湾地区建设新厂，计划将HBM月产能从当前的8万片逐步提升至12万片。

技术路线分化明显：SK海力士在初代HBM4采用1b制程（10纳米级第五代DRAM工艺），通过与台积电3D封装技术结合，使产品带宽达1.2TB/s；美光科技采取稳扎稳打策略，其1γ制程（10纳米级第四代DRAM工艺）产品良率已突破85%；三星电子则直接挑战1c制程（10纳米级第六代DRAM工艺），配合4纳米基础裸片实现芯片垂直堆叠，预计可使单位面积容量提升50%。

行业分析师指出，三星激进的技术路线存在双刃剑效应。虽然1c制程可使HBM4传输速率达9.6Gbps，较竞争对手提升20%，但初期良率波动可能影响交付稳定性。不过随着平泽工厂EUV设备到位，三星有望在2024年下半年将HBM4市场份额提升至38%，较当前增长7个百分点。

（徽声在线 李轩）