徽声在线9月8日讯（编辑 李华）综合多方消息，当前高带宽内存（HBM）市场正面临严重的供需失衡，需求量远超现有供应能力。在此背景下，三星电子已对其4纳米制程产能进行重大调整，将超过半数的产能分配给内存芯片生产。

据可靠消息透露，截至上月末，三星电子4纳米芯片产能中已有50%被用于生产HBM4内存芯片。目前，该制程已处于满负荷运转状态，其中50%至60%的产出专门用于制造HBM4基础裸片，以满足市场对高性能内存的迫切需求。

消息人士进一步披露，三星电子位于韩国平泽的工厂2号和3号园区承担着4纳米至7纳米芯片的生产任务，主要依赖S5和S6两条晶圆生产线。其中，4纳米芯片的月产能达到3万片，而用于生产HBM4的基础裸片就占据了其中的1.5万片，显示出三星对HBM市场的重视和投入。

值得注意的是，三星电子并未止步于4纳米制程。有报道称，该公司正在考虑将更先进的2纳米制程应用于HBM基础裸片的生产。为此，三星可能对其位于韩国器兴工业区的一条生产线进行改造，以生产2纳米HBM芯片，并有可能将这些高端芯片专门供应给英伟达等大客户。

产能扩张与市场竞争

韩国券商KB Securities在最新报告中指出，三星电子和SK海力士的存储半导体库存已降至极低水平，不足10天的供应量，预示着明年市场将面临明显的供应短缺。这一形势主要由人工智能数据中心对高性能内存芯片的巨大需求所驱动。

面对这一市场机遇，三星电子、SK海力士以及美光科技等内存巨头都在加速扩产HBM芯片。然而，这一扩产潮也不可避免地挤压了传统DRAM芯片的产能，使得市场供需关系更加紧张。

据业内人士估计，三星电子和SK海力士当前的HBM月产能均在15万至20万片之间，而美光科技则设定了今年底达到10万片的目标。尽管产能在不断提升，但市场需求的增长速度似乎更快，使得供需矛盾依然突出。

在技术路线选择上，三家公司也呈现出差异化策略。SK海力士选择将基础裸片外包给台积电生产，并在初代HBM4上采用成熟的1b工艺（10纳米级第五代DRAM制程工艺）以确保良率。美光科技则在技术选择上相对保守，目前主要任务仍是提升产能。相比之下，三星电子则直接采用更先进的1c工艺（10纳米级第六代DRAM制程工艺），并自研4纳米基础裸片，以便与自家代工和封装工艺形成协同效应。

业内专家分析认为，三星电子的这种激进打法在良率得到保证的情况下，有望在今年下半年抢占更多的市场份额。然而，这也对三星的生产管理和质量控制提出了更高的要求。

（徽声在线 李华）