徽声在线9月8日讯（编辑 李明轩）全球光刻机领域的领军企业阿斯麦（ASML）近日宣布，将携手其核心客户共同推进最尖端光刻设备的研发与生产，这些设备将专门用于制造由英伟达等科技巨头设计的大型数据中心芯片。

9月8日当天，阿斯麦连续发布三则重要公告，透露了与台积电、三星电子及英特尔在下一代高数值孔径（High NA）极紫外光刻（EUV）技术领域的深度合作计划。

根据合作细节，台积电计划从2030年开始，将阿斯麦的High NA技术应用于其先进制程的大规模生产中；三星则设定了2028年前首次将High NA技术用于DRAM大规模生产的目标；而英特尔方面则透露，其已经利用High NA EUV相关技术处理了超过100万片晶圆。

针对此次合作，三星电子在周二的回应中强调，合作的核心目标是推动12英寸光掩模技术的革新，以逐步取代已沿用数十年的6英寸光掩模格式，从而提升芯片制造的效率与精度。

聚焦新一代EUV光刻机

阿斯麦生产的光刻机，通过精密的光学系统将芯片图案从掩模上转移至硅晶圆上，是芯片制造过程中的关键环节。

目前，阿斯麦广泛应用的EUV设备单次曝光面积约为800平方毫米，这一极限恰好能够满足英伟达、谷歌等企业设计的芯片需求。相比之下，12英寸芯片的直径达到300毫米，其有效作业面积则高达70000平方毫米左右。

阿斯麦即将推出的下一代High NA EUV设备，将具备打印更精细芯片图案的能力。然而，由于采用了更小的掩模，该设备在芯片曝光尺寸上仍存在一定的限制。

为了克服这一挑战，阿斯麦本周宣布，计划对设备进行升级，采用更大尺寸的掩模，以确保最新设备能够制造出与当前最大规模数据中心芯片相媲美的产品。这一举措预计将极大地推动High NA设备在大规模生产中的广泛应用。

阿斯麦还透露，其计划在2031年前展示配备更大掩模的试点生产线，并预计到2033年将实现该新技术的全面量产。

ASML首席技术官Marco Pieters表示：“如果我们能够成功实现这一目标，整个芯片制造行业都将迎来产能的显著提升，预计增幅将达到40%。”

此外，SK海力士也在最新声明中表示，公司正在认真评估是否加入该联盟，以共同推进12英寸掩模技术的引入。SK海力士还指出，其目标是到2028年将High-NA EUV工艺应用于DRAM的大规模生产中。

（徽声在线 李明轩）