《徽声在线》8月22日讯（记者 李明轩）近期，多家市场研究机构预测，到2026年，全球磷化铟市场供需缺口将超过70%；而国内厂商的总出货量仅占全球供应量的约一成，产业链紧张态势正持续向上下游环节蔓延。

《徽声在线》记者对锡业股份、兴福电子、云南锗业、源杰科技、仕佳光子、长光华芯、三安光电等磷化铟产业链上中下游的多家上市公司进行了深入访谈，旨在揭示各环节存在的真实瓶颈。

从调研情况来看，国内磷化铟产业链呈现出“资源丰富、制造薄弱”的显著特点。上游精铟资源充足，但高纯铟的产能却相对不足；中游衬底和外延片的生产仍在扩大产能和提升良率的阶段，高速光芯片厂商普遍依赖进口衬底。整体来看，整条产业链的产能规模相较于全球需求仍然有限。然而，自2025年下半年以来，AI算力的爆发式增长推动了上中下游环节的协同发展，本土化替代进程正在加快。

AI算力需求激增下的供需矛盾凸显

随着人工智能算力需求的指数级增长，磷化铟衬底材料迅速成为全球光通信基础设施建设的焦点。

2026年7月，美国光芯片领军企业Lumentum的首席执行官迈克尔•赫尔斯顿在巴黎欧洲AI峰会上公开表示，磷化铟衬底的供需缺口已经显著超越DRAM与NAND闪存等主流存储器件。

这一现象不仅揭示了材料端的极度紧张，更凸显了磷化铟在AI时代数据中心光互连体系中的关键地位。

国内一位磷化铟衬底企业的高管对《徽声在线》记者进一步解释道，AI算力市场的快速发展促使高速光模块激光器与光电探测器行业面临如何实现数据快速传输的挑战，以充分释放显卡（GPU）的整体效率。因此，行业主流解决方案是用光信号替代传统电信号，而激光器和探测器等核心器件所依赖的光芯片，则必须使用磷化铟衬底材料。

“从2025年下半年开始，磷化铟衬底材料的整体市场需求显著增长。”该高管补充道。

在应用端，源杰科技、仕佳光子、长光华芯等高速光芯片企业的人士也向《徽声在线》记者证实，AI数据中心是当前拉动磷化铟基光芯片产能需求的主要市场。

谈及全球磷化铟衬底的供需现状，上述高管表示，在全球磷化铟衬底成品市场中，日本住友电工、日本JX金属、美国AXT三家国外企业合计占据超过九成的市场份额，而国内所有厂商的出货量加在一起仅占全球供应量的约一成。

“目前，本土替代的空间仍然很大，国内整体产能在全球的占比仍然较小。”该高管介绍道，国内本土规模最大的企业之一是云南锗业旗下的鑫耀半导体，其年产能约为15万片。“还有北京通美，它是美国AXT的全资子公司，产能规模也较大，但由于未上市，具体产能数据未公开，其产品主要供货给母公司AXT并对外出口。”

“从产业整体来看，国内磷化铟产业仍处于起步阶段。过去，磷化铟的整体市场需求没有这么大，现在算力建设带动了磷化铟材料需求的快速上升，但产能供给的建设匹配还需要时间。”该高管补充道。

在缺口方面，中国银河证券的研报数据显示，2025年全球磷化铟器件需求约为200万片/年，而实际产能仅约60万片/年。第三方咨询公司Yole预测，2026年全球需求将攀升至260万片至300万片/年，而有效产能仅提升至75万片/年左右，供需缺口将超过70%。

然而，对于“供需缺口超70%”的说法，业界仍持谨慎态度。

云南锗业证券部的工作人员表示，公司在做出重大经营决策时，不会仅依赖市场热度或几份研究报告和第三方机构的观点来决定扩产项目，而是会结合自身实际能力进行综合判断。“我们做出扩产决策主要基于两点：一是参考下游客户大概率会给出的订单情况；二是评估我们自身的生产和经营情况，判断我们是否具备落地项目的实力。”

“本次扩产规划新增30万片/年的折算产能，一方面是看到下游存在很大概率会兑现的需求，另一方面是我们评估后确认公司有能力完成该项目建设。”云南锗业证券部的工作人员进一步表示。

事实上，在火热的市场预期背后，需要冷静区分“真实”与“虚幻”。

《徽声在线》记者在采访中了解到，AI算力中心建设是当前磷化铟衬底环节需求增长的“基本盘”，具有一定的持续性。工信部2026年1-2月的通信业运行数据显示，全国算力基础设施投资同比增长42%；“东数西算”8个国家算力枢纽节点、各地省级智算中心以及头部互联网厂商的AI集群建设均在加速推进，这些都是看得见、摸得着的需求增量。

相比之下，6G、车载激光雷达等领域则更多是强化长期预期。这些领域目前仍处于产业化早期阶段，距离大规模商业化应用还有一段路要走，市场在短期内可能过度解读了这些远期应用对当前供需格局的影响。

衬底突围：本土化替代仍在爬坡期

8月21日晚间，A股光模块龙头中际旭创发布了2026年半年报，营收同比增长182.49%；净利润同比增长241.7%。公司表示，这主要是由于重点客户增强了资本开支，加大了算力基础设施领域的投资所致。

报告期内，中际旭创的预付款余额从2025年底的1.34亿元跃升至9.54亿元，增长了6倍多。这笔预付款的重要用途是提前锁定上游光芯片和衬底的产能。

国内某金属材料企业的市场负责人公开表示，2026年下游客户对磷化铟衬底的交期普遍达到24至40周，部分规格甚至需要预付三到五成的定金才能排上队。

据《徽声在线》记者最新了解，国内高速光芯片赛道的国产芯片出货节奏正在明显加快，然而作为关键材料的磷化铟衬底，目前仍主要依赖海外厂商采购。

主打EML芯片的长光华芯不涉及上游磷化铟衬底的布局，以外购衬底生产高速光芯片，定位为产业链中游的光芯片厂商。

长光华芯证券部的工作人员表示，针对全球磷化铟衬底紧缺的情况，公司也在验证并导入如云南锗业、北京通美等国内厂商生产的磷化铟衬底。

谈及磷化铟衬底的采购来源，源杰科技董秘办的人士表示，该公司的光芯片生产衬底同时采购国内和海外厂商的产品，供应商名单属于商业机密，不予披露。

“公司在磷化铟衬底采购环节将采取多元化、多供应商策略，通过分散采购来源保障上游原材料供应的稳定性。”仕佳光子方面的人士对《徽声在线》记者表示，该公司所需的磷化铟衬底全部依靠外部采购；该公司的CW类有源器件产品会使用磷化铟衬底材料。

三安光电从事磷化铟外延片和光芯片业务，并实现了相关产品的批量销售。

“公司上游环节的磷化铟衬底全部靠市场采购，自身并不生产。”据三安光电董秘办的人士介绍，该公司现有磷化铟基光芯片的产能为2750片/月，磷化铟外延的产能为6000片/月，相关产线仍在持续扩张中。

云南锗业旗下的鑫耀半导体是国内少数能够量产光通信用磷化铟衬底的企业之一。

谈及磷化铟衬底的产能布局，云南锗业董秘办的人士表示，目前公司量产的主力产品是2-4英寸的磷化铟衬底，现有产能为15万片/年。2026年4月，公司公告投资1.89亿元进行扩产项目，规划新增折算口径为30万片/年的磷化铟衬底年产能，建设期为18个月，其中包括6000片/年的6英寸衬底中试产能。“目前，我司有少量6英寸磷化铟衬底已向下游客户及实验室供货，主要用于试验研发，大规模量产尚需时日。”该人士表示。

随着磷化铟赛道的热度不断攀升，跨界玩家纷纷入局。

今年6月，从事皮革业务的兴业科技宣布拟以总价5500万元收购青岛立昂，进军磷化铟衬底领域。

兴业科技表示，标的公司青岛立昂的产品主要以2英寸和3英寸的磷化铟衬底为主；目前，该公司的4英寸磷化铟衬底仍在验证阶段，验证门槛较高，可能存在客户验证不通过的风险。

在产能及项目推进方面，“青岛立昂现有产能约为2万片/年，该公司已完成扩产规划，目标是将产能扩大至10万片/年，预计今年四季度至2027年一季度开启试生产，后续将逐步爬坡并释放产能。”一位接近该标的公司的人士表示。

此外，跨界进入磷化铟领域的还有博杰股份，该公司通过参股珠海鼎泰芯源切入磷化铟上游衬底赛道。鼎泰芯源可实现2-4英寸磷化铟衬底的批量供货，6英寸产品尚在研发送样阶段，具体产能释放情况并未披露。截至2026年第一季度，鼎泰芯源尚未实现盈利。

“现阶段，各家企业都需要持续优化改进，不是第一年建好工厂，第二年就能产出合格产品。从产线建设到下游验证完成并批量供货需要2-3年甚至更长的周期。”对于国内磷化铟衬底产能的放量时间表，前述磷化铟衬底公司的高管表示，磷化铟衬底从3英寸升级到4英寸、再从4英寸升级到6英寸，晶圆面积不断扩大，加工环节的研发存在技术瓶颈，涉及设备改造和专有温场控制技术等，每一次尺寸升级都意味着工艺体系的重新磨合与良率爬坡。

高纯铟提纯：用量少但门槛极高

从产业链的角度来看，磷化铟衬底的制备流程为：以高纯铟和磷为原料合成磷化铟多晶，经单晶生长得到单晶锭，再通过切、磨、抛等工序加工为衬底晶片。国内的原生铟材料主要来自于铅锌锡冶炼的伴生矿，原生铟的产量占到全球的七成以上。

然而，作为磷化铟单晶制造的核心原料，高纯铟和电子级红磷等同样高度依赖进口。

《徽声在线》记者在采访中了解到，锡业股份、华锡有色、锌业股份等上市企业能够稳定输出大量的4-5N工业级精铟，其中近60%的销量供应给ITO靶材市场，资源总量储备充足。

但是，随着AI算力需求的抬升，7N以上半导体级超高纯铟的供应趋紧。这类高纯铟是磷化铟单晶长晶的核心原料，国内的有效量产产能在短期内并不充裕。

锡业股份董秘办的人士表示，光通信用磷化铟衬底对铟材的纯度要求极高，需达到6N（99.9999%）至7N（99.99999%）级别。公司旗下的参股企业云南锡业新材料正在推进高纯铟项目，拥有一定的7N级别高纯铟产能规模，同时正在扩建产能。

谈及7N级高纯铟业务的推进情况，8月19日，高纯铟冶炼类企业豫光金铅方面表示，该公司建有一套7N级别高纯铟材料的中试产线，目前为小规模试验性生产，年产规模为300公斤。目前产出的样品已供给下游客户开展试用验证。预计2026年年底或2027年年初将拿到客户试用的反馈结果，后续将结合市场情况再评估扩产及项目建设事宜。

国内另外一家头部金属铟提炼企业华锡有色的证券部工作人员表示，该公司早在2025年就针对可应用于半导体领域的7N级以上高纯铟开展了相关研发工作。截至目前，相关产品仍处于研发和验证阶段。

“尽管国内精铟资源充足，但能够稳定产出6N和7N级半导体用高纯铟的国内企业并不多。”上海一位小金属行业的高级分析师黄立（化名）在接受《徽声在线》记者采访时表示，普通精铟和半导体级高纯铟看似只差几个9的纯度，但背后是完全不同的工艺体系。这几年随着光芯片需求的爆发，国内提纯技术正在快速跟进。按照现在的项目上马速度，相信用不了两年，国内高纯铟原材就可实现供需平衡。

黄立进一步表示，国内高纯铟提纯环节发展滞后的另一层原因是磷化铟衬底对铟的需求量并不大，这直接导致国内企业布局意愿不足。目前，国内7N级以上高纯铟在整体铟材料中的需求占比仅约10%。

“现在市场上反复炒作磷化铟概念，大众普遍误以为磷化铟中的金属消耗量巨大，但实际上物料消耗规模很小。”据黄立介绍，一片2英寸磷化铟衬底所需的高纯铟只有1-2克左右。假设以国内磷化铟衬底最大规模产能企业之一的云南锗业为例，其现有的15万片/年磷化铟衬底，折算下来也仅需要300-400公斤的高纯铟。这也在一定程度上导致上游铟材料提纯厂家没有动力搭建提纯实验室和配置提纯设备，进入一个技术门槛极高的细分领域。

“此外，从价格角度看，目前市面上普通精铟的价格为五千多元，而做到6N级别以上的高纯铟，价格可能也就只有六千多元。一千元左右的价差，这个溢价吸引力并没有想象中那么大。”黄立表示。

（徽声在线记者 李明轩）